Modulo di potenza IGBT con raddrizzatore controllato al silicio a transistor ad alta frequenza CM75E3Y-12E
€54.90
€134.99
Save 59%
Resi senza rischi entro 30 giorni e soddisfatti o rimborsati
Aggiunto al carrello.
Panoramica prodotto
- Diodi
- Modulo di potenza IGBT con raddrizzatore controllato al silicio a transistor ad alta frequenza CM75E3Y-12E